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主要技术参数：
1、生长晶片尺寸：2英寸3片
2、生长温度控制范围：300℃-1250℃
3、最大生长速度：3um/小时
4、系统压力、真空度：
压力：小于780mmHg
真空：小于2.0×10-2torr
5、生长外延片厚度不均匀性：±3%
组分不均匀性：±3%
6、配备：（可根据用户要求配置）
4路气体：（H2,N2,NH3,SiH4）
6路MO源：（TEG,TEA,TMA,Cp2Mg,TMG,TMin）
7、主机外形尺寸：4800×800×2200mm（L×W×H）
（不包括RF电源）
GaN-MOCVD设备