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青岛杰生电气有限公司
半导体晶体薄膜材料生长技术及设备、化合物半导体光电产品等高科技产品的研究开发...
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2英寸单片W120型设备
主要技术参数:1、生长晶片尺寸:1.25英寸、2英寸2、生长温度控制范围:300℃-1250℃3、最大生长速度:3um/小时4、系统压力、真
2018-06-05
GaN-MOCVD设备
主要技术参数: 1、生长晶片尺寸:2英寸3片2、生长温度控制范围:300℃-1250℃3、最大生长速度:3um/小时4、系统压力、真空度:
2018-06-05
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